MOSFET, N-Canal Infineon IRF6620TRPBF, VDSS 20 V, ID 150 A, Mejora, DirectFET de 2 pines
- Código RS:
- 222-4737
- Nº ref. fabric.:
- IRF6620TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
11,54 €
(exc. IVA)
13,96 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,154 € | 11,54 € |
| 50 - 90 | 1,097 € | 10,97 € |
| 100 - 240 | 0,986 € | 9,86 € |
| 250 - 490 | 0,888 € | 8,88 € |
| 500 + | 0,844 € | 8,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4737
- Nº ref. fabric.:
- IRF6620TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Altura | 680μm | |
| Anchura | 5.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Longitud 6.35mm | ||
Altura 680μm | ||
Anchura 5.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la tecnología HEXFET® Power MOSFET Silicon con el encapsulado Direct FETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.
100 % RG probado bajo nivel de conducción y pérdidas de conmutación
Inductancia de encapsulado ultra baja ideal para convertidores dc-dc de núcleo de CPU
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, DirectFET de 2 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, DirectFET de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, DirectFET de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V DirectFET de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V DirectFET de 15 pines
- MOSFET VDSS 150 V DirectFET de 2 pines
- MOSFET VDSS 150 V DirectFET de 2 pines
- MOSFET VDSS 150 V DirectFET de 7 pines