MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7779L2TRPBF, VDSS 150 V, ID 67 A, DirectFET de 15 pines
- Código RS:
- 260-5941
- Nº ref. fabric.:
- IRF7779L2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5941
- Nº ref. fabric.:
- IRF7779L2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 15 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 15 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia DirectFET de Infineon está optimizado para aplicaciones de rectificación síncrona y conmutación de alta frecuencia. La pérdida total reducida en el dispositivo junto con el alto nivel de rendimiento térmico permite una alta eficiencia y bajas temperaturas, que son clave para mejorar la fiabilidad del sistema, y convierte a este dispositivo en ideal para convertidores de potencia de alto rendimiento.
Sin plomo
Optimizado para rectificación síncrona
Pérdidas de conducción bajas
Compatible con refrigeración de doble cara
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