Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6775MTRPBF, VDSS 150 V, ID 28 A, DirectFET de 2 pines

Código RS:: 218-3102
Nº ref. fabric.:: IRF6775MTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6775MTRPBF, VDSS 150 V, ID 28 A, DirectFET de 2 pines

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Código RS:: 218-3102
Nº ref. fabric.:: IRF6775MTRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	DirectFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	2
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	56mΩ
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Disipación de potencia máxima Pd	89W
	Longitud	4.85mm
	Altura	0.68mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie HEXFET
	Encapsulado DirectFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 2
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Disipación de potencia máxima Pd 89W
	Longitud 4.85mm
	Altura 0.68mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF6775MTRPBF

MOSFET Infineon 150V de potencia HEXFET de canal N sencillo. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. La inductancia inferior mejora el rendimiento de EMI al reducir la oscilación de tensión que acompaña a transitorios de corriente rápidos.

Última tecnología MOSFET Silicon

Compatible con refrigeración de doble cara

Compatible con las tecnologías de montaje en superficie existentes

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