MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 28 A, DirectFET de 2 pines

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Código RS:
218-3101
Nº ref. fabric.:
IRF6775MTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Anchura

3.95 mm

Altura

0.68mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.85mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon 150V de potencia HEXFET de canal N sencillo. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. La inductancia inferior mejora el rendimiento de EMI al reducir la oscilación de tensión que acompaña a transitorios de corriente rápidos.

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