MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 545 A, Mejora, DirectFET de 15 pines

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Código RS:
229-1737
Nº ref. fabric.:
AUIRF8739L2TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

545A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DirectFET

Serie

AUIRF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

15

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

40 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

375nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.74mm

Longitud

9.15mm

Anchura

7.1 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo Infineon en un encapsulado DirectFET L8 permite avalancha repetitiva hasta Tjmax. Tiene una velocidad de conmutación rápida y no tiene plomo.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Dispone de refrigeración de doble cara

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