MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, DirectFET de 6 pines
- Código RS:
- 215-2447
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7640S2TR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2447
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7640S2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máximo 60V con una corriente de drenaje continuo máxima 20A en un encapsulado DirectFET pequeño. El AUIRF7640S2TR/TR1 combina la última tecnología de silicio MOSFET de potencia HEXFET® de automoción con la Advanced DirectFET® Packaging Platform para producir una pieza de primera clase para aplicaciones de amplificador de audio de clase D de automoción. El encapsulado DirectFET® es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación. El encapsulado DirectFET® permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Optimizado para amplificador de audio de clase D y conmutación de alta velocidad Aplicaciones
Baja RDS(on) para mejorar la eficiencia
Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad
Sin plomo, RoHS y sin halógenos
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