MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- Código RS:
- 214-8965
- Nº ref. fabric.:
- AUIRL7736M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
18,73 €
(exc. IVA)
22,665 €
(inc.IVA)
Añade 25 unidades para conseguir entrega gratuita
Últimas existencias de RS
- Última(s) 4800 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,746 € | 18,73 € |
| 25 - 45 | 3,222 € | 16,11 € |
| 50 - 120 | 3,032 € | 15,16 € |
| 125 - 245 | 2,808 € | 14,04 € |
| 250 + | 2,622 € | 13,11 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8965
- Nº ref. fabric.:
- AUIRL7736M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 112A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.05 mm | |
| Altura | 0.74mm | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 112A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.05 mm | ||
Altura 0.74mm | ||
Longitud 6.35mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para lograr un rendimiento excepcional en un encapsulado que tiene el tamaño de UN SO-8 o 5X6mm PQFN y perfil de solo 0,7 mm. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Nivel de lógica
Alta densidad de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DirectFET de 15 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DirectFET de 7 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, DirectFET de 7 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DirectFET de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, DirectFET de 2 pines