MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 375 A, DirectFET
- Código RS:
- 257-5564
- Nº ref. fabric.:
- IRL7472L1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-5564
- Nº ref. fabric.:
- IRL7472L1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.4mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble cara
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1-2 nH)
100 % sin plomo (sin exención RoHS)
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