MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 217 A, DirectFET
- Código RS:
- 257-9313
- Nº ref. fabric.:
- IRF7480MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9313
- Nº ref. fabric.:
- IRF7480MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 217A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 217A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 40 V en un encapsulado FET ME directo. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Las aplicaciones finales incluyen herramientas de alimentación y jardinería inalámbricas, vehículos eléctricos ligeros y bicicletas eléctricas que requieren un alto nivel de resistencia y eficiencia energética.
Capacidad de refrigeración de lado doble
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)
100 % sin plomo (sin exención ROHS)
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC