MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF7759L2TR, VDSS 75 V, ID 160 A, DirectFET

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Código RS:
273-5218
Nº ref. fabric.:
AUIRF7759L2TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

DirectFET

Serie

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MX
El MOSFET de potencia Infineon está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son esenciales. La plataforma de encapsulado DirectFET avanzada junto con la última tecnología de silicio le permite ofrecer ahorros sustanciales en el nivel del sistema y mejorar el rendimiento específicamente en accionamiento de motor, dc a dc de alta frecuencia y otras aplicaciones de carga pesada en plataformas ICE, HEV y EV. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión baja y un Qg bajo por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET son la alta capacidad de corriente de pico repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de automoción de alta corriente.

Conformidad con RoHS

Refrigeración de doble cara

Alta densidad de potencia

Calificación de automoción

Parámetros parásitos bajos

Sin plomo y sin halógenos

Tecnología de proceso avanzada

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