MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -160 A, DirectFET

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Código RS:
257-9332
Nº ref. fabric.:
IRF9383MTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

-160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

113W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

67nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de un canal p de -30 V en un encapsulado FET mx directo. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Corriente nominal alta

Capacidad de refrigeración de lado doble

Baja altura del encapsulado de 0,7 mm

Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)

100 % sin plomo (sin exención RoHS)

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