MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -160 A, DirectFET
- Código RS:
- 257-9332
- Nº ref. fabric.:
- IRF9383MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 4800 unidades)*
5.337,60 €
(exc. IVA)
6.460,80 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4800 + | 1,112 € | 5.337,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9332
- Nº ref. fabric.:
- IRF9383MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de un canal p de -30 V en un encapsulado FET mx directo. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de lado doble
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)
100 % sin plomo (sin exención RoHS)