MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 160 A, DirectFET
- Código RS:
- 273-5220
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7759L2TR
- Fabricante:
- Infineon
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| 100 - 499 | 4,30 € |
| 500 - 1999 | 4,19 € |
| 2000 + | 4,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5220
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7759L2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MX
El MOSFET de potencia Infineon está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son esenciales. La plataforma de encapsulado DirectFET avanzada junto con la última tecnología de silicio le permite ofrecer ahorros sustanciales en el nivel del sistema y mejorar el rendimiento específicamente en accionamiento de motor, dc a dc de alta frecuencia y otras aplicaciones de carga pesada en plataformas ICE, HEV y EV. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión baja y un Qg bajo por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET son la alta capacidad de corriente de pico repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de automoción de alta corriente.
Conformidad con RoHS
Refrigeración de doble cara
Alta densidad de potencia
Calificación de automoción
Parámetros parásitos bajos
Sin plomo y sin halógenos
Tecnología de proceso avanzada