MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7769L1TRPBF, VDSS 100 V, ID 124 A, DirectFET
- Código RS:
- 257-9318
- Nº ref. fabric.:
- IRF7769L1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 257-9318
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- IRF7769L1TRPBF
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 124A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 124A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 100 V en un encapsulado FET L8 directo. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de lado doble
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)
100 % sin plomo (sin exención RoHS)