MOSFET Infineon IRF8010STRLPBF, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 168-5978
Nº ref. fabric.:: IRF8010STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF8010STRLPBF, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

685 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

1,017 €

(exc. IVA)

1,231 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	1,017 €	813,60 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-5978
Nº ref. fabric.:: IRF8010STRLPBF
Fabricante:: Infineon

IRF8010SPbF, IRF8010LPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	260 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Ancho	9.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V

MOSFET Infineon IRF8010STRLPBF, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon