MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 7.2 A, Mejora, PQFN de 6 pines

Código RS:: 168-6031
Nº ref. fabric.:: IRLHS2242TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 7.2 A, Mejora, PQFN de 6 pines

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

296,00 €

(exc. IVA)

360,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 24.000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
4000 +	0,074 €	296,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-6031
Nº ref. fabric.:: IRLHS2242TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	7.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	PQFN
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	53mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	9.6W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.95mm
	Longitud	2.1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado PQFN
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 9.6W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.95mm
	Longitud 2.1mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 7,2A, disipación de potencia máxima de 9,6W - IRLHS2242TRPBF

Este MOSFET de montaje superficial es adecuado para aplicaciones que exigen una conmutación de alta eficiencia. Su baja resistencia a la conexión, unida a la tecnología HEXFET, contribuye a reducir al mínimo la pérdida de potencia, lo que lo hace adecuado para tareas de gestión de la potencia en diversos circuitos electrónicos. Con una temperatura máxima que oscila entre -55 °C y +150 °C, funciona eficazmente en condiciones difíciles.

Características y ventajas

• La baja Rds(on) garantiza un alto rendimiento y una menor generación de calor

• Capaz de manejar una corriente de drenaje continua de 7.2A para un rendimiento robusto

• El compacto encapsulado DFN de 6 patillas facilita la integración en espacios reducidos

• El funcionamiento en modo de mejora permite opciones de diseño versátiles

• Proporciona una excelente resistencia térmica para una mayor longevidad

Aplicaciones

• Se utiliza para la conmutación de sistemas/cargas en sistemas de automatización

• Ideal para la conmutación de carga y descarga en la gestión de baterías

• Adecuado para dispositivos electrónicos compactos que requieren alta eficiencia

• Empleado en sistemas de control eléctrico y circuitos de gestión de potencia

¿Cuál es el significado de la característica Rds(on) baja?

La baja Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, aumentando la eficiencia global y manteniendo temperaturas más bajas durante el funcionamiento, lo que es vital para aplicaciones de alta potencia.

¿Cómo gestiona este componente el rendimiento térmico?

Tiene una temperatura máxima de +150°C, junto con una baja resistencia térmica para mejorar la disipación del calor, lo que garantiza un funcionamiento estable en condiciones de alta carga.

¿Puede funcionar en distintos entornos operativos?

Sí, funciona eficazmente en una gama de temperaturas de -55°C a +150°C, lo que la hace adecuada para aplicaciones rigurosas en diversos climas.

¿Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?

El diseño del MOSFET admite conmutación de alta velocidad, lo que lo hace eficaz para aplicaciones de alta frecuencia en la electrónica contemporánea.

¿Cuáles son los requisitos de montaje para un rendimiento óptimo?

Para obtener los mejores resultados, debe montarse en una placa de circuito impreso con las características de gestión térmica adecuadas para optimizar la disipación del calor y las conexiones eléctricas.