MOSFET Infineon IRFHS9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 6 A, DFN2020 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 737-7310
Nº ref. fabric.:: IRFHS9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFHS9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 6 A, DFN2020 de 7 pines, , config. Simple

38340 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,189 €

(exc. IVA)

0,229 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,189 €	1,89 €

*precio indicativo

Código RS:: 737-7310
Nº ref. fabric.:: IRFHS9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	DFN2020
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	65 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.3V
Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	2.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13 nC a 10 V
Longitud	2.1mm
Altura	0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C