MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -21 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 257-5533
- Nº ref. fabric.:
- IRFH9310TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 257-5533
- Nº ref. fabric.:
- IRFH9310TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 0.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 0.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplio catálogo disponible