MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7496
- Nº ref. fabric.:
- STP19NM50N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,836 € | 91,80 € |
| 100 - 450 | 1,467 € | 73,35 € |
| 500 - 950 | 1,309 € | 65,45 € |
| 1000 - 4950 | 1,107 € | 55,35 € |
| 5000 + | 1,063 € | 53,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-7496
- Nº ref. fabric.:
- STP19NM50N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 500 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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