MOSFET STMicroelectronics PD85050S, VDSS 28 V, ID 8 A, PowerSO de 10 pines, config. Simple
- Código RS:
- 168-8718
- Nº ref. fabric.:
- PD85050S
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 168-8718
- Nº ref. fabric.:
- PD85050S
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 28 V | |
| Tipo de Encapsulado | PowerSO | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 10 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 105 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -10 V, +10 V | |
| Ancho | 9.6mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Longitud | 15.65mm | |
| Altura | 3.6mm | |
| Ganancia de Potencia Típica | 12 dB | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 28 V | ||
Tipo de Encapsulado PowerSO | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 10 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 105 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -10 V, +10 V | ||
Ancho 9.6mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Longitud 15.65mm | ||
Altura 3.6mm | ||
Ganancia de Potencia Típica 12 dB | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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