MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2306CX RFG, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	94 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	3.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,2 nC a 10 V
Altura	1.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C