MOSFET, N-Canal Nexperia PMV30UN2R, VDSS 20 V, ID 5.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-5432
- Nº ref. fabric.:
- PMV30UN2R
- Fabricante:
- Nexperia
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 170-5432
- Nº ref. fabric.:
- PMV30UN2R
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | PMV30UN2 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie PMV30UN2 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Soluciones de conmutación para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simples y dobles hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1000 mW
Aplicaciones de destino
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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