MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMV30UN2R, VDSS 20 V, ID 5.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-5432
- Nº ref. fabric.:
- PMV30UN2R
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
16,25 €
(exc. IVA)
19,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 16 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,325 € | 16,25 € |
| 250 - 450 | 0,292 € | 14,60 € |
| 500 - 1200 | 0,26 € | 13,00 € |
| 1250 - 2450 | 0,228 € | 11,40 € |
| 2500 + | 0,195 € | 9,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-5432
- Nº ref. fabric.:
- PMV30UN2R
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | PMV30UN2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie PMV30UN2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Soluciones de conmutación para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simples y dobles hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1000 mW
Aplicaciones de destino
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines