MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC070N10NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
171-1963
Nº ref. fabric.:
BSC070N10NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

BSC070N10NS5

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon BSC070N10NS5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de 100V V CON PEAJE. Este MOSFET está optimizado para rectificación síncrona e ideal para alta frecuencia de conmutación. Este MOSFET tiene la máxima eficiencia del sistema y reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento

100 % a prueba de avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N.

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