MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 74 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4619
Nº ref. fabric.:
BSC072N08NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

74A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.1 mm

Altura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.35mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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