MOSFET, N-Canal Infineon BSC072N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 74 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4620
- Nº ref. fabric.:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 50 más para ahorrar 3,65 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
14,52 €
(exc. IVA)
17,57 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,452 € | 14,52 € | - |
| 50 - 90 | 1,379 € | 13,79 € | 3,65 € |
| 100 - 240 | 1,35 € | 13,50 € | 10,20 € |
| 250 - 490 | 1,264 € | 12,64 € | 47,00 € |
| 500 + | 1,177 € | 11,77 € | 137,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4620
- Nº ref. fabric.:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS-TM5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 74 A - BSC072N08NS5ATMA1
Este MOSFET es un semiconductor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación y conversión de potencia en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y admite tensiones de puerta de hasta 20 V, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones que requieren un accionamiento de puerta robusto y una corriente de drenaje continua considerable mientras se monta como un dispositivo de superficie compacto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 80 V permite aplicaciones de conmutación de mayor tensión
• La corriente continua de 74 A admite etapas de potencia de carga pesada
• La Rds(on) de 7.2 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 69 W permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 24 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• El encapsulado de superficie TDSON de 8 pines proporciona ahorros en PCB compacto
• La corriente continua de 74 A admite etapas de potencia de carga pesada
• La Rds(on) de 7.2 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 69 W permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 24 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• El encapsulado de superficie TDSON de 8 pines proporciona ahorros en PCB compacto
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Ideal para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia en racks de servidor
• Puede utilizarse para sistemas de gestión de baterías y carga
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia en racks de servidor
• Puede utilizarse para sistemas de gestión de baterías y carga
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
¿Qué extremos térmicos puede tolerar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de −55 °C hasta 150 °C.
¿Qué rango de tensión de accionamiento de puerta es admisible para el control de conmutación?
La puerta se puede accionar hasta 20 V para conmutar el dispositivo.
¿Cómo admite el paquete el montaje automatizado?
Se suministra en un encapsulado TDSON de 8 pines diseñado para montaje en superficie.
¿Cuál es la carga de conmutación típica que hay que tener en cuenta en los controladores de puerta?
Los diseñadores deben tener en cuenta una carga de puerta total típica de 24 nC al seleccionar un controlador.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines