MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4617
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
4.290,00 €
(exc. IVA)
5.190,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 10.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,858 € | 4.290,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4617
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 131A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 131A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS-TM5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 131 A - BSC037N08NS5ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango ambiente y se adapta a condiciones térmicas exigentes, al tiempo que proporciona una baja caída de tensión y una conmutación controlada por puerta rápida adecuada para entornos industriales y de alimentación.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 80 V que permite una conmutación robusta de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 131 A para manejar corrientes intensas
• Rds(on) bajo de 3.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 114 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 46 nC que admite un control de conmutación rápido
• Tolerancia de puerta de 20 V que permite tensiones de accionamiento flexibles
• Corriente de drenaje continua de 131 A para manejar corrientes intensas
• Rds(on) bajo de 3.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 114 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 46 nC que admite un control de conmutación rápido
• Tolerancia de puerta de 20 V que permite tensiones de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta potencia en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en carriles de alimentación de servidor
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y unidades SAI
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie en sistemas industriales
• Ideal para rectificación síncrona en carriles de alimentación de servidor
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y unidades SAI
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie en sistemas industriales
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar de -55 °C hasta +175 °C.
¿Cuántas conexiones eléctricas proporciona el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?
El encapsulado muestra ocho contactos para enrutamiento y conexión térmica.
¿Qué factor de forma de embalaje y montaje deben esperar los diseñadores?
Se suministra en un encapsulado TDSON diseñado para montaje en superficie.
¿Cuál es la tensión directa durante la conducción en condiciones típicas?
La tensión directa se especifica en 1,1 V en condiciones de conducción.
¿Qué tipo y modo de canal determinan la polaridad y el comportamiento de conmutación?
Utiliza una estructura de canal N en modo de mejora para conmutación de lado alto o lado bajo convencional.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines