MOSFET, N-Canal Infineon BSC037N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4618
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
13,38 €
(exc. IVA)
16,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 11.390 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,676 € | 13,38 € |
| 25 - 45 | 2,408 € | 12,04 € |
| 50 - 120 | 2,246 € | 11,23 € |
| 125 - 245 | 2,114 € | 10,57 € |
| 250 + | 1,954 € | 9,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4618
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 131A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 131A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Anchura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS-TM5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 131 A - BSC037N08NS5ATMA1
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua de 131 A para manejar corrientes intensas
• Rds(on) bajo de 3.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 114 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 46 nC que admite un control de conmutación rápido
• Tolerancia de puerta de 20 V que permite tensiones de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Ideal para rectificación síncrona en carriles de alimentación de servidor
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y unidades SAI
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie en sistemas industriales
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
¿Cuántas conexiones eléctricas proporciona el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?
¿Qué factor de forma de embalaje y montaje deben esperar los diseñadores?
¿Cuál es la tensión directa durante la conducción en condiciones típicas?
¿Qué tipo y modo de canal determinan la polaridad y el comportamiento de conmutación?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
