MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC037N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4618
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
10,74 €
(exc. IVA)
12,995 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 11.405 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,148 € | 10,74 € |
| 25 - 45 | 1,932 € | 9,66 € |
| 50 - 120 | 1,802 € | 9,01 € |
| 125 - 245 | 1,696 € | 8,48 € |
| 250 + | 1,568 € | 7,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4618
- Nº ref. fabric.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 131A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 131A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines