MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 170-2311
- Nº ref. fabric.:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2311
- Nº ref. fabric.:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC030N08NS5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC030N08NS5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 5.49mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC030N08NS5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - BSC030N08NS5ATMA1
Este MOSFET de mejora de canal n está diseñado para conmutación de alta corriente en electrónica de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y gestiona tensiones y corrientes elevadas, lo que lo convierte en adecuado para entornos térmicos y eléctricos exigentes. El componente se integra en diseños de placa compactos y admite conmutación rápida para etapas de conversión de potencia o accionamiento de motor.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 80 V permite el funcionamiento en carril de mayor tensión
• La corriente de drenaje continua de 100 A permite el manejo de corrientes pesadas
• La Rds(on) de 3 mΩ minimiza las pérdidas de conducción en las vías de carga
• La disipación de potencia de 139 W admite un rendimiento térmico significativo
• La carga total de puerta de 61 nC facilita transiciones de conmutación rápidas
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 100 A permite el manejo de corrientes pesadas
• La Rds(on) de 3 mΩ minimiza las pérdidas de conducción en las vías de carga
• La disipación de potencia de 139 W admite un rendimiento térmico significativo
• La carga total de puerta de 61 nC facilita transiciones de conmutación rápidas
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de alta corriente en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una conmutación rápida
• Puede utilizarse para conmutar cargas en sistemas de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una conmutación rápida
• Puede utilizarse para conmutar cargas en sistemas de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
¿Qué tipo de encapsulado debería permitir en el tamaño de la placa de circuito impreso?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TDSON de ocho contactos diseñado para colocación de montaje en superficie, por lo que garantiza un patrón de tierra compatible y vias térmicas si es necesario.
¿Qué tolerancia tiene a condiciones ambientales extremas?
El componente está clasificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en aplicaciones con amplia variación térmica.
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de puerta se requieren para un funcionamiento eficiente?
Con una carga de puerta típica de 61 nC y un Vgs máximo de 20 V, elija un controlador que pueda proporcionar una corriente de pico suficiente y permanecer dentro del límite de tensión de puerta para optimizar la velocidad de conmutación.
¿Cómo afecta su tensión directa a los diseños de baja tensión?
El dispositivo presenta una tensión directa de 0,8 V que influye en los cálculos de caída de conducción en sistemas de baja tensión y alta corriente y debe incluirse en las estimaciones de pérdida de potencia.
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