MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 170-2307
- Nº ref. fabric.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2307
- Nº ref. fabric.:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC040N08NS5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC040N08NS5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.49mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC040N08NS5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - BSC040N08NS5ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de silicio diseñado para conmutación de alta corriente en aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas industriales y es adecuado para sistemas que requieren una conducción robusta y una conmutación rápida. El dispositivo ofrece una alta capacidad de corriente continua y está configurado para usar donde se requiere un manejo de potencia compacto y de baja pérdida.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje de 80 V que permite capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 100 A que admite cargas de corriente pesada
• Rds(on) bajo de 5.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 104 W para una carga térmica elevada
• Carga de puerta típica de 43 nC que permite transiciones de conmutación eficientes
• Valor nominal máximo de puerta Vgs 20 V, lo que permite amplios márgenes de accionamiento de puerta
• Corriente de drenaje continua de 100 A que admite cargas de corriente pesada
• Rds(on) bajo de 5.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 104 W para una carga térmica elevada
• Carga de puerta típica de 43 nC que permite transiciones de conmutación eficientes
• Valor nominal máximo de puerta Vgs 20 V, lo que permite amplios márgenes de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en sistemas de gestión de potencia
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en controladores industriales
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas de alta corriente en bastidores de telecomunicaciones
• Apto para implementaciones de etapa de potencia en módulos de inversor
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en controladores industriales
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas de alta corriente en bastidores de telecomunicaciones
• Apto para implementaciones de etapa de potencia en módulos de inversor
¿Qué tipo de encapsulado utiliza y por qué es relevante?
Se suministra en un encapsulado TDSON compacto de montaje en superficie que facilita diseños de inductancia baja y una transferencia de calor eficiente a nivel de placa.
¿Cuáles son los límites ambientales de funcionamiento de este dispositivo?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en una amplia gama de condiciones de temperatura industrial.
¿Cuántas conexiones proporciona el encapsulado para el enrutamiento de PCB?
El dispositivo se presenta con ocho contactos para admitir conexiones de alimentación y puerta/térmicas para una integración de PCB robusta.
¿Cuál es el tipo y modo de conducción del canal para el diseño del circuito?
Utiliza una configuración de modo de mejora de canal N, adecuada para topologías de conmutación síncrona y de lado bajo.
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