MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC040N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

16,56 €

(exc. IVA)

20,04 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3410 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 401,656 €16,56 €
50 - 901,574 €15,74 €
100 - 2401,416 €14,16 €
250 - 4901,273 €12,73 €
500 +1,211 €12,11 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-1969
Nº ref. fabric.:
BSC040N08NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TDSON

Serie

BSC040N08NS5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.88V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de alimentación Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS de 5 80 V, especialmente diseñado para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, el dispositivo también se puede utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, controladores de baja tensión y adaptador.

Eficiencia del sistema más alta

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Requiere menos conexión en paralelo

Mayor densidad de potencia

Sobreimpulso de baja tensión

Enlaces relacionados