MOSFET Toshiba, N-Canal SSM6N35FE, VDSS 20 V, ID 180 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2

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Código RS:
171-2408
Nº ref. fabric.:
SSM6N35FE
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

550μm

Anchura

1.6mm

Longitud

1.2mm

Número de elementos por chip

2

COO (País de Origen):
TH
Accionamiento de 1,2 V

Canal N 2 en 1

Baja resistencia de encendido: Ron = 20 Ω (máx.) (@VGS = 1,2 V)

Ron = 8 Ω (máx.) (a VGS = 1,5 V)

Ron = 4 Ω (máx.) (a VGS = 2,5 V)

Ron = 3 Ω (máx.) (a VGS = 4,0 V)

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