MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

5,80 €

(exc. IVA)

7,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 16.800 unidad(es) más para enviar a partir del 04 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 1000,116 €5,80 €
150 - 4500,097 €4,85 €
500 - 9500,084 €4,20 €
1000 +0,071 €3,55 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-2471
Nº ref. fabric.:
SSM3K339R
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

390mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.7mm

Anchura

1.8 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
Interruptores de administración de potencia

Convertidores dc-dc

Tensión de accionamiento de puerta de 1,8 V.

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 145 mΩ (típ.) (a VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (típ.) (a VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (típ.) (a VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (típ.) (a VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (típ.) (a VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Enlaces relacionados