MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 400 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
171-2411
Nº ref. fabric.:
T2N7002BK
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

400mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.75Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-0.79V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.3 mm

Longitud

2.9mm

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
Conmutación de alta velocidad

Nivel ESD(HBM) 2 kV

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 1,05 Ω (típ.) (a VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (típ.) (a VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (típ.) (a VGS = 4,5 V)

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