MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba T2N7002BK, VDSS 60 V, ID 400 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 171-2528
- Nº ref. fabric.:
- T2N7002BK
- Fabricante:
- Toshiba
Subtotal (1 paquete de 100 unidades)*
2,90 €
(exc. IVA)
3,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 6200 unidad(es) más para enviar a partir del 04 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,029 € | 2,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 171-2528
- Nº ref. fabric.:
- T2N7002BK
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 400mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -0.79V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 400mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -0.79V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Conmutación de alta velocidad
Nivel ESD(HBM) 2 kV
Resistencia de conexión de drenador-fuente baja
RDS(ON) = 1,05 Ω (típ.) (a VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (típ.) (a VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (típ.) (a VGS = 4,5 V)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET Toshiba SSM3K333R ID 6 A , config. Simple
- MOSFET Toshiba VDSS 30 V SOT-23 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 40 V SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V SOT-23 de 3 pines
