MOSFET Toshiba TK65G10N1, VDSS 100 V, ID 136 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2487
Nº ref. fabric.:: TK65G10N1
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK65G10N1, VDSS 100 V, ID 136 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

2,314 €

(exc. IVA)

2,80 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	2,314 €	11,57 €
50 - 95	2,028 €	10,14 €
100 +	1,80 €	9,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-2487
Nº ref. fabric.:: TK65G10N1
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,8 mΩ (típ) (VGS = 10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 100 V)
Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	136 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	156 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	10.27mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Longitud	10.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	4.46mm

MOSFET Toshiba TK65G10N1, VDSS 100 V, ID 136 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Especificaciones

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