MOSFET Toshiba TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2207
Nº ref. fabric.:: TPN1600ANH
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-2207
Nº ref. fabric.:: TPN1600ANH
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

Convertidores dc-dc
Reguladores de tensión de conmutación
Controladores para motor
Encapsulado pequeño y delgado
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 7,4 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 13 mΩ (típ) (VGS = 10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 100 V)
Modo de mejora: V = 2,0 a 4,0 V (V = 10 V, I = 0,2 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	16 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	42 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	3.1mm
Longitud	3.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	0.85mm

MOSFET Toshiba TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

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