MOSFET Toshiba TK33S10N1Z, VDSS 100 V, ID 33 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2530
Nº ref. fabric.:: TK33S10N1Z
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK33S10N1Z, VDSS 100 V, ID 33 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-2530
Nº ref. fabric.:: TK33S10N1Z
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: JP

Datos del Producto

Automoción
Reguladores de tensión de conmutación
Controladores para motor
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 8,2 mΩ (típ) (VGS = 10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 100 V)
Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	28 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	7mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	2.3mm

MOSFET Toshiba TK33S10N1Z, VDSS 100 V, ID 33 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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