MOSFET Toshiba TK33S10N1Z, VDSS 100 V, ID 33 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	28 nC a 10 V
Longitud	6.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	2.3mm
Tensión de diodo directa	1.2V

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