MOSFET Toshiba TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	16 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	42 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Longitud	3.1mm
Altura	0.85mm
Tensión de diodo directa	1.2V

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