MOSFET Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 171-3608
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
2500 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,572 €
(exc. IVA)
0,692 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 2500 + | 0,572 € | 1.430,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 171-3608
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de potencia de canal N con contacto de lengüeta 3, 55A V y 30V A Taiwan Semiconductor tiene una configuración de transistor único y modo de canal de mejora.
En conformidad con RoHS
Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1V V y 2,5V V.
Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1V V y 2,5V V.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 55 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 13 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 40 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7,5 nC a 4,5 V |
| Longitud | 6.5mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5.8mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Tensión de diodo directa | 1V |
| Altura | 2.3mm |
- Código RS:
- 171-3608
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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