MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
Código RS:
172-0384
Nº ref. fabric.:
RD3G500GNTL
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

RD3G500GN

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Longitud

6.8mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

No

El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado de alta potencia (TO-252)

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.