MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RD3G500GNTL, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
Código RS:
172-0437
Nº ref. fabric.:
RD3G500GNTL
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3G500GN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.8mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Estándar de automoción

No

El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado de alta potencia (TO-252)

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.