MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

Código RS:: 172-3367
Nº ref. fabric.:: NVD5C464NT4G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

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Código RS:: 172-3367
Nº ref. fabric.:: NVD5C464NT4G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	59A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	NVD5C464N
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd	40W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	6.22 mm
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	2.25mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 59A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie NVD5C464N
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd 40W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 6.22 mm
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 2.25mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 259 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 1972 pF)

Menor pérdida de conmutación

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 23 mΩ

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

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