MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2619
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 217-2619
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo
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