MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2619
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
994,00 €
(exc. IVA)
1.202,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 24 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,497 € | 994,00 € |
| 4000 + | 0,472 € | 944,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2619
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines