MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2619
Nº ref. fabric.:
IRFR2905ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo

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