MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 59 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3832
- Nº ref. fabric.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3832
- Nº ref. fabric.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
Menos paralelismo necesario
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos fáciles de diseñar