MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3
- Código RS:
- 258-3832
- Nº ref. fabric.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,53 €
(exc. IVA)
0,64 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,53 € | 1.325,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3832
- Nº ref. fabric.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
Menos paralelismo necesario
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos fáciles de diseñar
Menos paralelismo necesario
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos fáciles de diseñar
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 59 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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