MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 9.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
178-0850
Nº ref. fabric.:
IRFS9N60APBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IRFS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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