MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQD40061EL_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

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Código RS:
178-3960P
Nº ref. fabric.:
SQD40061EL_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

185nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.38 mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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