MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C638NLT1G, VDSS 60 V, ID 133 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 178-4407
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS5C638NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,48 €
(exc. IVA)
9,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1450 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,748 € | 7,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4407
- Nº ref. fabric.:
- NVMFS5C638NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 133A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMFS5C638NL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 133A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMFS5C638NL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.
Características
Encapsulado de pequeño tamaño estándar de la industria de 5 x 6 mm
Baja RDS(on)
Baja QG y capacitancia
NVMFS5C638NLWF - Opción de flanco sumergible
Capacidad PPAP
Ventajas
Diseño compacto y tamaño estándar para permitir su montaje directo
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de controlador
Inspección óptica mejorada
Aplicaciones
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Productos finales
Driver de solenoide: ABS, inyección de combustible
Control de motor: EPS, barrido, ventiladores, asientos, etc.
Interruptor de carga: ECU, chasis, cuerpo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
