MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C638NLT1G, VDSS 60 V, ID 133 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
178-4407
Nº ref. fabric.:
NVMFS5C638NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

133A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Serie

NVMFS5C638NL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Altura

1.05mm

Longitud

5.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Encapsulado de pequeño tamaño estándar de la industria de 5 x 6 mm

Baja RDS(on)

Baja QG y capacitancia

NVMFS5C638NLWF - Opción de flanco sumergible

Capacidad PPAP

Ventajas

Diseño compacto y tamaño estándar para permitir su montaje directo

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de controlador

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Protección de batería inversa

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Productos finales

Driver de solenoide: ABS, inyección de combustible

Control de motor: EPS, barrido, ventiladores, asientos, etc.

Interruptor de carga: ECU, chasis, cuerpo

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