MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS138NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 178-7472
- Nº ref. fabric.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 178-7472
- Nº ref. fabric.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de señal pequeña de canal N de 60 V en encapsulado SOT23
Infineon Technologies ofrece a los fabricantes de automoción e industriales una amplia cartera de MOSFET de señal pequeña de canal N y P que cumplen y superan los más altos requisitos de calidad en encapsulados estándar del sector bien conocidos. Con niveles inigualables de fiabilidad y capacidad de fabricación, estos componentes son ideales para una amplia variedad de aplicaciones, incluida la iluminación de LED, ADAS, unidades de control de carrocería, SMPS y control de motores.
Resumen de las características
•Modo de mejora
•Nivel de lógica
•Con clasificación de avalancha
•Conmutación rápida
•Valor nominal Dv/dt
•Tiene chapado sin plomo
•Conforme a RoHS, sin halógenos
•Calificación conforme a los estándares de automoción
•Capacidad PPAP
Ventajas
•El bajo RDS(on) proporciona una mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería
•Los encapsulados pequeños ahorran espacio en PCB
•Mejor calidad y fiabilidad de su clase
Aplicaciones potenciales
•Automoción
•Iluminación
•Gestión de baterías
•Interruptor de carga
•dc-dc
•eMobility
•Control del motor
•Cargador integrado
•Telecom
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