MOSFET Infineon BSS138NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9954
Nº ref. fabric.:: BSS138NH6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS138NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

8500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 500)

0,035 €

(exc. IVA)

0,042 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
500 +	0,035 €	17,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-9954
Nº ref. fabric.:: BSS138NH6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	360 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1 nC a 10 V
Ancho	1.3mm
Longitud	2.9mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C