MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 230 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
826-9285
Nº ref. fabric.:
BSS138NH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

230mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.83V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.9mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de señal pequeña de canal N de 60 V en encapsulado SOT23


Infineon Technologies ofrece a los fabricantes de automoción e industriales una amplia cartera de MOSFET de señal pequeña de canal N y P que cumplen y superan los más altos requisitos de calidad en encapsulados estándar del sector bien conocidos. Con niveles inigualables de fiabilidad y capacidad de fabricación, estos componentes son ideales para una amplia variedad de aplicaciones, incluida la iluminación de LED, ADAS, unidades de control de carrocería, SMPS y control de motores.

Resumen de las características


•Modo de mejora

•Nivel de lógica

•Con clasificación de avalancha

•Conmutación rápida

•Valor nominal Dv/dt

•Tiene chapado sin plomo

•Conforme a RoHS, sin halógenos

•Calificación conforme a los estándares de automoción

•Capacidad PPAP

Ventajas


•El bajo RDS(on) proporciona una mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería

•Los encapsulados pequeños ahorran espacio en PCB

•Mejor calidad y fiabilidad de su clase

Aplicaciones potenciales


•Automoción

•Iluminación

•Gestión de baterías

•Interruptor de carga

•dc-dc

•eMobility

•Control del motor

•Cargador integrado

•Telecom

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